近日， 德國化學材料大廠默克（Merck）宣布，在南科高雄園區(qū)成立的亞洲地區(qū)集成電路（IC）材料應用研究與開發(fā)中心正式開幕并啟用。初期投資約1億元新臺幣，提供前端原子層沉積(ALD)/化學氣相沉積(CVD)等先進制程所需的特殊氣體原材之開發(fā)、半導體封裝研發(fā)與錯誤分析等服務，以期協(xié)助在地與亞洲半導體業(yè)者縮短研發(fā)時間，盡速投入IC先進制程。 

默克IC材料事業(yè)處資深副總裁溫瑞克表示，以往半導體12寸晶圓制程困難，其中一個就是奈米材料遇到問題時，必須花2至4周時間送到國外測試，因此半導體大廠臺積電、華邦電，樂見默克進駐南科，縮短運送實驗晶圓試片的時間。

臺灣區(qū)默克集團董事長謝志宏表示，臺灣在默克全球布局中占有非常重要的位置，選擇在臺灣設(shè)立亞洲區(qū)IC材料應用研發(fā)中心，主要看中臺灣的半導體產(chǎn)業(yè)鏈完整且尖端技術(shù)引領(lǐng)全球，期待研發(fā)中心不僅能協(xié)助臺灣客戶發(fā)展，亦能支持整個亞洲區(qū)域。

iPhone 8及iPhone X的推出，除了對iPhone推出問世10周年的慶祝意義之外，也為10nm制程的推出揭開序幕，半導體制程開始進展至個位數(shù)制程節(jié)點。展望未來，業(yè)者為延續(xù)摩爾定律，提升單位面積內(nèi)的電晶體密度，業(yè)者提出「More Moore」、「More than Moore」、「Beyond CMOS」三大構(gòu)想(注)，所采取的解決方案主要有3個方向：

1、持續(xù)制程微縮（牽動Patterning、BEOL、FEOL的演進）；

2、采用3D化的電晶體結(jié)構(gòu)(牽動FEOL、Memory的演進)；

3、采用先進封裝技術(shù)(牽動Advanced Packaging)；

　　制程微縮及3D化的電晶體結(jié)構(gòu)，使得原先采用的材料及設(shè)備難以符合先進制程需求，業(yè)者為求制程順利演進不得不考慮采用其他材料，而先進封裝技術(shù)則對晶片薄化、晶片貼合及構(gòu)裝材料帶來新的需求，不論是哪一項解決方案，半導體材料都是技術(shù)演進順利與否的關(guān)鍵。